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集成电路BCD工艺平台中DoubleResurf技术概述(2)
时间：2016-12-23 09:26 文章来源：http://www.lunwenbuluo.com 作者：慈朋亮 点击次数：
由于BCD集成电路在各个领域有广泛的用途，国外在这方面做了深入的研究，高性能LDMOS取得很大发展，但是国内对于这方面的研究还处于起步阶段，无论是电气参数，还是可靠性等级，基于高性能LDMOS器件的高压集成电路的研究水平方面均呈明显的劣势。因此，研究和设计用于功率集成电路的高性能LDMOS有助于弥补我国在这方面的空缺，促进我国电子行业的发展。
参考文献
[1]杨银堂，朱海刚.BCD集成电路技术的研究与进展[J].微电子学.2006，36（3）：315-319.
[2]刘汝刚，刘佳，王树振.BCD智能功率集成技术简述[J].微处理机.2012，1：20-22.
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